Bayram, Ozkanİğman, ErdalŞimşek, Önder2024-10-042024-10-0420192564-6605https://doi.org/10.28948/ngumuh.598128https://search.trdizin.gov.tr/tr/yayin/detay/354303http://hdl.handle.net/20.500.12403/4257Bu çalışmada, CH4 gazı kullanılarak bakır folyolar üzerinde grafen ince filmlerin sentezlenmesi amaçlanmıştır.İnce filmlerin elde edilebilmesi için plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) ve kimyasal buharbiriktirme (CVD) yöntemi kullanılmıştır. Bakır alt-taşlar, standart ön temizlik yapıldıktan sonra kuvars camdanyapılmış reaktöre yerleştirilmiştir. Vakum odasının taban basıncı 5-10 mTorr’a düşürüldükten ve hidrojen gazıile tavlama işlemi yapıldıktan sonra, CH4 gazı ortama gaz akış kontrol ünitesi yardımıyla gönderilmiştir. PECVDsisteminde; RF güç kaynağı (13,56 MHz), kontrol ünitesi vasıtasıyla aktif hale getirilerek, üretilen enerji ortamagönderilmiştir. İşlem basıncı 100 mTorr, sıcaklık 600 ?C, RF gücü 50 W ve kaplama süresi ise 20 dakika olarakayarlanmıştır. CVD tekniğinde ise, RF gücü ortadan kaldırılmış ve büyütme sıcaklığı 1000 ?C olarakbelirlenmiştir. Elde edilen Grafen nanoyapıların karakterizasyonu için Raman, SEM ve TEM analizlerigerçekleştirilmiştir. Raman sonuçlarına göre, CVD yöntemiyle elde edilen yapılar, tek tabaka grafen yapısınıdoğrulamıştır. Bununla beraber PECVD tekniği ile tek tabaka grafen nanoyapılardan ziyade çok tabakalı yapıelde edildi.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessArticle821126113410.28948/ngumuh.598128354303